半导体检测技术有哪些-ZOL问答

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在半导体前道晶圆检测中，明场（Bright-Field, BF）与暗场（Dark-Field, DF）光学检测是识别纳米级缺陷的两种关键手段。明场检测利用同轴、均匀的直射光照射晶圆表面，由相机接收镜面反射光形成图像，擅长识别图形类缺陷，如光刻图案失真、线条断裂、金属桥接等；暗场检测则采用大角度倾斜入射光激发晶圆表面，相机捕获由微小缺陷引发的散射光信号，对颗粒污染、细微划伤、浅表凹坑等非图形类缺陷具有更高灵敏度。
为支撑高精度、高速率检测需求，新一代TDI线阵相机正加速国产化突破。其中，Dhyana 9KTDI基于背照式sCMOS架构，集成深度制冷与多级降噪设计，光谱响应范围覆盖180 nm至1100 nm，支持256级时间延迟积分（TDI），显著提升紫外、可见及近红外波段在低照度下的成像信噪比；其配备CXP-12高速接口，最高行频达510 kHz。Gemini 8KTDI进一步优化紫外响应性能，在266 nm和355 nm两大关键紫外检测波长下，量子效率分别达63.9%与58%，同时搭载100G CoF高速数据接口，最大行频突破1 GHz。
明场检测追求光照均匀、对比鲜明，暗场检测则要求在极微弱散射光中实现高保真提取——这看似矛盾的双重目标，正通过8K/9K系列TDI-sCMOS相机得以统一实现。凭借高量子效率、超低噪声、宽光谱兼容性与极致传输带宽，该系列相机助力国产晶圆检测装备在28 nm及更先进工艺节点上，全面实现探测更深、扫描更快、识别更准的技术跃升。

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