Ansys、Keysight与Synopsys联合推出的面向台积电4nm射频FinFET工艺的全新参考流程，通过集成多领域工具与技术，为RFIC设计提供了高效、精准的解决方案，加速了产品上市进程并提升了设计质量。具体内容如下：

全新参考流程支持从之前工艺节点简化迁移，为寻求更高预测准确度和生产力的开放式RF设计环境提供了完整方案。例如，设计人员可基于该流程快速将原有设计适配到台积电4nm工艺，减少重复劳动，提升开发效率。

流程基于Synopsys定制设计系列，集成Ansys多物理场平台，结合Keysight的射频集成电路（RFIC）设计和交互式电磁（EM）分析工具，形成覆盖设计、仿真、验证全环节的开放生态。

行业领先的电磁仿真与性能优化

Keysight的电磁仿真工具可提高5G/6G无线片上系统的性能和电源效率。例如，通过快速、交互式的电磁电路协同仿真（如PathWave ADS RFPro），设计人员能在开发周期早期发现并修复版图布局相关效应，避免后期返工。

Ansys的RaptorX?和Exalto?提供签核电磁建模，支持独特的CUI（电感器下方电路）功能，可将尺寸和成本减少高达50%，同时确保电磁模型精度。

集成化流程提升设计效率与精度

设计环境优化：台积电4nm射频设计参考流程改进了Synopsys Custom Compiler?设计与布局环境，通过严格验证关键设计组件（如低于6GHz的低噪声放大器LNA和LC调谐压控振荡器LC VCO），缩短设计周转时间并提升布局效率。

仿真与验证工具链：

电路仿真：Synopsys PrimeSim?提供黄金标准签核精度的电路仿真性能，PrimeSim?可靠性环境支持热感知电迁移分析（扩展至器件金属）。

物理验证与提取：Synopsys IC Validator?和StarRC?提供签核物理验证和提取解决方案，确保设计符合工艺规则。

电源完整性与电磁建模：Ansys Totem?提供热感知签核电迁移验证及电源完整性分析（EM/IR），VeloceRF?实现电磁器件全自动芯片布局综合（如多层螺旋电感、变压器），提升电路性能。

早期设计验证：Keysight PathWave RFIC设计（GoldenGate）支持谐波平衡仿真，帮助设计人员在芯片设计早期阶段验证功能，降低后期风险。

应对新一代无线系统设计挑战

随着无线系统向更高带宽、更低时延发展，RF集成电路设计复杂性增加。更高电路频率、更小特征尺寸和复杂版图布局效应（如寄生参数、耦合效应）对建模和仿真技术提出更高要求。

联合参考流程通过集成多物理场仿真（如热、电迁移、电磁耦合分析），帮助设计人员优化功耗、尺寸、可靠性和性能，满足毫米波和亚太赫兹范围的设计需求。

合作伙伴与行业认可

技术协作：Keysight、Synopsys和Ansys与台积电的战略合作，确保流程紧密适配台积电4nm工艺需求。例如，Keysight副总裁Niels Faché指出，老一代解决方案无法满足现代5G/6G片上系统设计需求，而新流程通过详细仿真和建模提升了签核准确性。

客户价值：Synopsys副总裁Sanjay Bali强调，流程通过开放式优化设计，为5G/6G无线系统带来卓越设计质量；Ansys副总裁John Lee提到，客户需在整个设计流程中应用业界领先解决方案以实现首次成功，而新流程整合了电源完整性和电磁建模技术，满足了高速电路设计人员的需求。

相关资源与工具支持

Keysight EDA：提供射频设计、仿真和测试解决方案，支持从早期设计到签核的全流程。

Synopsys定制设计系列：涵盖Custom Compiler?（设计与布局）、PrimeSim?（仿真）、IC Validator?（物理验证）等工具，支持台积电4nm工艺。

Ansys多物理场签核：提供Totem?（电源完整性）、RaptorX?（电磁建模）、VeloceRF?（无源器件综合）等工具，解决多物理场耦合问题。