宇量昇浸没式光刻试验机进展-ZOL问答

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近日，金融时报报道了宇量昇开展浸没式光刻机试验机台测试的相关消息。这一进展引发广泛关注，有必要就此进行客观、清晰的梳理与说明。
在讨论具体技术细节前，需明确一个基本前提：本文所涉内容聚焦于DUV（深紫外）光刻技术，与EUV（极紫外）光刻无任何关联。二者在光源波长、光学系统架构、工艺难度及产业定位上存在本质差异。EUV代表的是下一代先进制程的核心装备，而当前讨论的浸没式光刻机属于DUV技术路线，不可混为一谈。
浸没式光刻机采用193纳米波长的准分子激光光源。据公开信息显示，早在2022年之前，上海微电子已接收过多台功率为40瓦、波长为248纳米的国产光源设备。由此推断，宇量昇具备采购国产193纳米准分子激光光源的基础条件，但该光源目前仍处于试验阶段，其长期运行稳定性尚待验证。
在光学系统方面，国内唯一可提供高数值孔径DUV镜头的供应商是国望光学。公开资料显示，国望光学于2017年通过验收的DUV镜头，数值孔径为0.7至0.75。相比之下，ASML量产型浸没式光刻机所用镜头的数值孔径为1.35。值得注意的是，数值孔径低于1.0的镜头仅见于约20年前的早期试验机台，两者在光学设计、加工精度与系统集成能力上存在明显代际差距。
以2017年为起点，历经八年技术积累，国望光学是否已实现数值孔径1.35折反式DUV镜头的设计与制造，目前尚无权威公开信息证实。但可以确认的是，宇量昇具备从国望光学获取试验级DUV光学系统的可能性。
宇量昇目前已初步具备研制DUV浸没式光刻试验机台所需的关键国产部件条件。然而，这并不等同于已形成成熟、稳定的生产型浸没式光刻机。现阶段更可能处于试验机台的迭代验证阶段。