国产芯片再传好消息,打破西方垄断,已掌握3个关键制造环节

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国外掌握大量的芯片制造技术,在芯片制造领域,很多顶级的设备,材料都需要从国外进口。因为对国外有非常大的芯片依赖,导致我国每年的芯片进口额都在3000亿美元以上。

去年美国对中国企业实施芯片规则,导致中国企业失去了采购芯片,代工芯片的渠道。被芯片卡脖子以后,中国也在加紧自研,尽全力攻克一系列的技术。

有众多优秀的中国半导体企业参与其中,国产芯片也再传好消息,成功掌握3个关键制造环节技术,打破西方垄断。

第一项技术:离子注入机

和光刻机一样,离子注入机也是芯片制造过程中必不可少的核心设备之一。通过离子注入机可以实现对半导体材料,集成电路的离子注入,从而完成对半导体金属材料的改性及制膜等等。

而中国在离子注入机就取得了相应的突破,由中国电科旗下的附属装备集团,成功打造出离子注入机的全谱系产品国产化,可实现对28nm工艺的覆盖。

中国对应的芯片制造环节缺陷,也被弥补。

第二项技术:刻蚀机

中国刻蚀机巨头中微半导体取得了关键突破。在过去的几十年中,中微公司从默默无闻的小企业,成为全球五大刻蚀机设备供应商之一。

在台积电的5nm生产线中,就采用了中微半导体的12英寸高端刻蚀机设备。另外中微半导体取得的关键突破在于3nm刻蚀机Alpha 原型机,这一设备已经实现从设计到测试一系列的开发,评估。

刻蚀机的作用在于,通过纳米级别的技术,在集成电路硅片上实现晶体管线路图的雕刻。到了高端刻蚀机级别,能够在上千层的集成电路中完成刻蚀任务。

如果把芯片比作大楼,那么刻蚀机的任务就是在几百,几千层的大楼中,完成每一个楼层的精装修。

精确程度要实现每一楼层的微小复刻,把设计图纸上的所有细节,都完美刻蚀出来。如此复杂的刻蚀机设备,对芯片制造的作用性不亚于光刻机。

第三项技术:光刻胶

芯片制造涉及到非常多的工艺,步骤。在正式进入到芯片制造之前,需要在硅片上涂抹光刻胶。通过光刻胶的作用,让硅片保持完整,并确保每一个晶体管,集成电路都能得到保护。

这样在后续的刻蚀,离子注入过程中,都能顺利进行。品质越是高端的光刻胶,效果就越好。日本占据全球光刻胶的主要市场,并达到了垄断水准。

中国光刻胶企业不负众望,以南大光电为代表,成功实现Arf光刻胶产品的客户验证。并实现小批量出售。

不只是南大光电,此前晶瑞股份曾花费七千多万人民币购买了一台ASML光刻机,虽然是二手的,但是对研发28nm高端光刻胶也有重大意义。

另外上海新阳采购的ASML光刻机也有多台进入到生产线,对参与国产高端光刻胶的研发都是有巨大帮助的。

中国芯片在离子注入机、刻蚀机、光刻胶这三大芯片制造环节技术中,都取得了相应的突破进展。有研究报告显示,中国将在近两年内实现28nm芯片的自给自足。有能力应对中低端成熟工艺芯片的自主研发,生产。

国产芯片正在逐步打破西方国家的垄断,在实现技术自主可控这一方面,中国企业持之以恒,势必能助力中国芯片的崛起。3个关键芯片制造环节或许只是冰山一角,还有更多的技术,产品及设备都在研制当中。

中国会掌握更多的芯片制造技术,光刻机、芯片制程等等,都难不住中国半导体。相信只要有足够的时间,再大的困难都能一一克服。

对此,你有什么看法呢?

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别光顾着激动啊兄弟,我表哥在半导体厂干了八年,他说掌握三个环节听着牛,其实每个环节背后都是十年磨一剑——比如离子注入机,以前全靠进口,现在中科院微电子所搞出来的样机才刚通过可靠性测试,良率还卡在85%左右,离大规模商用还有距离,好消息是真好消息,但别当终点线看,更像是长跑跑到第二个补给站,水刚喝上,后头30公里更难啃
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你们年轻人光盯着光刻机,其实最难啃的是材料!这次突破的三个环节里,高纯度硅片、氟化氩光刻胶、特种电子特气全是国产替代,尤其那款合肥产的KrF光刻胶,去年还被日企断供,现在月产能冲到30吨,客户排单排到明年Q2,连长鑫存储都来谈合作了——芯片不是光刻机跑起来就完事,一整条生态链都在悄悄变天,细思极恐又热血沸腾!
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哇这消息我刚在朋友圈刷到还半信半疑,结果查了下真有其事!中芯国际最近确实在FinFET工艺、光刻胶国产化和刻蚀设备自研上取得了突破,虽然离台积电5nm还差一截,但28nm成熟制程已经稳稳量产了,连华为Mate60的麒麟芯片都用上了自家产线,说明咱们不是光喊口号,是真刀真枪干出来了,以后买手机也不用老担心被卡脖子了,挺燃的!
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作为一个天天蹲B站看芯片科普的理工男,看到这新闻直接截图发了十多个群!特别想说说那个关键制造环节里的EUV光源替代方案——咱没ASML的极紫外光刻机,就硬生生用多重曝光+浸润式DUV+算法补偿蹚出条路,中芯和上海微电子联合攻关的N+2工艺,实测性能接近7nm,虽然功耗高点、面积大点,但架不住它能自主可控啊!这才是真正的弯道超车式智慧!
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