颠覆EUV光刻机!佳能最快今年交付!

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佳能革新光刻技术,引领芯片制造业新篇章佳能科技的最新突破性纳米压印光刻技术,正逐步改变我们对芯片制造的认知。据《金融时报》披露,这项创新技术有望在2023年内交付,以颠覆现有的DUV和EUV光刻工艺,实现前所未有的效率和成本节省。
佳能光学产品业务的掌门人Hiroaki Takeishi透露,公司计划于2024和2025年大规模推出这种革命性的 NIL(纳米压印)设备,它以直接在硅片上印制电路的独特方式,为芯片制造带来全新的高效选择。与传统光刻技术依赖于光和化学反应不同,NIL利用激光与机械压力,展现出了显著的节能优势。佳能指出,与ASML的EUV设备相比,NIL技术能节省高达90%的能耗,已成功应用于5纳米工艺,甚至有潜力扩展至2纳米节点的前沿技术。
尽管NIL与DUV和EUV光刻系统存在兼容性挑战,但佳能明确表示,他们的目标并非替代现有工具,而是提供一种互补的选择。此外,这项技术展现的潜力远不止于此,它还能够应用于3D NAND的制造,为未来的芯片设计带来更多可能性。然而,行业分析师对于这种新技术能否大规模普及仍持谨慎态度。Radio Free Mobile的Richard Windsor指出,如果这项技术确实如佳能所言那么优秀,那么它应该早已经在市场中占据主导。
然而,尽管前景诱人,NIL的广泛应用仍需解决技术整合和工艺流程的复杂性问题。未来,佳能能否成功引领这场光刻技术的革新,让我们拭目以待。对于关注芯片行业动态的朋友们,我们将继续追踪并分享这一领域的最新进展。
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刷到这新闻我顺手查了佳能最新财报,发现他们半导体设备业务去年营收才不到120亿日元,还不到ASML单季度的零头,研发投入更是差着数量级。而且NIL技术其实二十年前就有人搞,一直卡在量产可靠性上,这次所谓的突破主要是解决了气泡残留和模板磨损问题,但速度慢(比EUV慢好几倍)、成本高(模板寿命短导致单片成本飙升)、不能做复杂多层堆叠——说白了就是个细分领域的补充方案,硬往颠覆EUV上靠,怕不是想蹭热点拉股价吧?
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哎哟,这消息一出我赶紧去搜了下新闻源,结果发现是外媒报道佳能确实在推新型纳米压印光刻设备(NIL),但根本不是EUV替代品啊!它精度目前只到15nm左右,连7nm都够呛,更别说台积电三星正在用的3nmEUV工艺了。所谓颠覆纯属标题党,佳能自己官网都没敢写替代EUV,只是说适合LED、MEMS、部分功率器件等特定场景,咱别被营销话术带偏节奏,真要造先进芯片,离了ASML的EUV现在还真不行
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它不依赖极紫外光源,而是靠物理压模,这意味着套刻精度、缺陷控制、量产稳定性全都是硬伤。业内朋友说现在连验证线都还没跑通大规模逻辑芯片流片,更别说手机CPU这种对良率要求999%以上的场景了,吹颠覆真不如先解决量产良率过80%这个基本门槛
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我一个在晶圆厂做制程整合的朋友昨晚吃饭时还吐槽这事——佳能这机器连抗蚀剂适配性都还在调参阶段,换一种材料就要重做整套工艺窗口,而ASMLEUV光刻机虽然贵得离谱但至少生态成熟,从光刻胶、掩膜版到量测设备全链路打通。再说最快今年交付指的是给某家存储厂送样机,不是给中芯国际或长电科技直接供货,连设备验收标准都没完全敲定,媒体把送样说成交付,这信息差也太误导人了吧!
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