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alphatim1000

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中国已自主研发出光刻机，如上海微电子（SMEE）的SSA600系列，可支持90nm工艺。但在高端EUV光刻机领域（如7nm以下）仍受制于技术封锁和核心部件（光源、镜头、双工件台）瓶颈，尚未实现自主量产。
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paraparawon

中国目前拥有一台7纳米工艺的光刻机，该设备位于武汉弘芯半导体工厂。中芯国际所使用的光刻机来自荷兰ASML公司，其工艺水平为14纳米，不足以满足更先进芯片的生产需求。在2019年12月，武汉弘芯半导体成功购入了一台7纳米工艺的光刻机，并举行了盛大的设备入场仪式，这表明中国在光刻机技术上也取得了一定的进步。
光刻机，也被称作掩模对准曝光机或曝光系统，是芯片制造过程中不可或缺的核心设备。其工作原理类似于摄影冲印，通过曝光将掩模上的图案精确转移到硅片上。根据操作便捷性，光刻机可以分为手动、半自动和全自动三种类型。手动光刻机通过人工调节旋钮来改变X轴、Y轴和θ角度进行对准，精度自然有限。半自动光刻机则可以通过电动轴根据CCD成像进行定位调谐。而全自动光刻机则能自动完成基片的装卸、曝光时长控制和循环，满足工厂对高处理量的需求。
光刻机的性能指标包括支持的基片尺寸范围、分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性以及生产效率等。其中，分辨率描述了光刻工艺能够达到的最细线条精度，受限于光源的衍射效应以及光刻系统、光刻胶和工艺等多方面因素。对准精度则是在多层曝光过程中层间图案对齐的定位精度。曝光方式有接触接近式、投影式和直写式等。光源波长通常分为紫外、深紫外和极紫外区域，常见的光源包括汞灯和准分子激光器等。
以上信息综合了百度百科关于光刻机的资料。
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w471557841

二百台。光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间。
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chenglingxia

德国有光刻机
光刻机其实是需要 韩国（SK海力士）、德国（蔡司）、荷兰（ASML）三个国家的企业的EUV技术整合在一起，才能做的出来。虽然ASML是荷兰的企业，但是光刻机的技术是这三家企业的专利整合在一起的结果
7nm以内制程的半导体，必须要用EUV光刻机才能做的出来。目前全球只有ASML公司能做的出来EUV光刻机。但是EUV光刻机并不是ASML一个人的技术，ASML有两大光刻机专利合作伙伴，分别是 SK海力士（韩国）和 蔡司（德国）。ASML、SK海力士、蔡司 这三家公司技术整合，才能做出目前全球最先进的EUV光刻机。
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jianyongweijing

中国有了自己的光刻机，中科院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。这是世界上第一台利用紫外光实现22nm分辨率的超分辨率光刻设备，为纳米光学加工提供了全新的解决方案。
在光电所的努力下，我国的R&D光刻机跳出了通过减小波长、增加数值孔径来提高分辨率的老路，为突破22nm甚至10nm光刻节点提供了全新的技术，也为超分辨率光刻设备提供了理论基础。
扩展信息:
利用超分辨率光刻设备，项目组为航天科技集团第八研究院、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、电子科技大学、四川大学华西第二医院、重庆大学等单位制备了一系列纳米功能器件。
包括大口径薄膜反射镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射装置、生化传感器芯片、超表面成像装置等。验证了超分辨光刻设备纳米功能器件加工能力，达到了实用化水平。
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