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ASML 拼命研制的新款高 NA EUV 光刻机或将是最终一代,你怎么看?

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ASML，全球领先的光刻机制造商，正在研制一款新的高NA EUV光刻机，可能将成为最后一代。这款新机器将具有0.55 NA（高 NA）的透镜，分辨率达8nm，旨在尽可能避免在3 nm及以上节点中的双重或多重曝光。此外，ASML还在努力降低EUV和High NA图案化的成本，这可能需要十年的努力。对于这款新光刻机的看法，可以从以下几个方面进行分析：首先，这款新光刻机的推出将有助于满足下一代2nm制程工艺的需求。随着科技的发展，芯片制程工艺也在不断进步，现有的EUV光刻机已经不能满足未来的需求。因此，这款新光刻机的推出将有助于推动半导体技术的发展。其次，ASML正在努力降低EUV和High NA图案化的成本。这是一个长期且艰巨的任务，需要ASML和其合作伙伴进行持续的研发和投入。然而，只要性能还没有达到193纳米光刻的水平，就有很大的改进空间。最后，新光刻机的推出也将对半导体产业产生深远影响。光刻机的迭代使这种设备拥有了更高的光刻分辨率、更高效的生产效率、更简单的光刻工艺。这将有助于提高芯片的生产效率，降低生产成本，推动半导体产业的发展。总的来说，ASML新款高NA EUV光刻机的推出是半导体技术进步的重要一步，将对半导体产业产生深远影响。然而，这还需要ASML和其合作伙伴进行持续的研发和投入，以克服各种挑战，实现技术的突破。
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iceraynet

单台造价超5亿欧元，占地比篮球场还大，需要上千个精密部件协同，光是镜片抛光就得耗时一年，客户还得自建超净厂房配独立供电供水，连电费一年都烧掉几千万，等真正量产可能摩尔定律早被chiplet和3D封装抢了风头，大家与其死磕线宽，不如卷互连和存算一体，EUV真可能成绝唱式巅峰
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dzwei00

人类的想象力永远比教科书里的理论极限多留了一道缝，只要钱和人才还在砸，就别急着给EUV写终稿
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yjdlzjd

以前拼的是光刻机分辨率，现在拼的是系统级PPAC（性能、功耗、面积、成本），比如Intel用RibbonFET+PowerVia绕开部分EUV依赖，台积电在背面供电网络上狂砸研发，还有ASML自己悄悄布局的High-NA后续方案其实叫EUVwithcomputationallithography+multi-beammaskless，说白了就是用AI算法和电子束补刀代替硬升级，所以不是技术到头了，而是打法彻底变了
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taoxingpeng

5200都还没完全跑稳良率，更别说下一代了，再加上地缘政治卡脖子越来越狠，供应链一断，光有图纸也造不出来，所以最后一代未必是技术终点，但很可能是全球化协作模式下的最后一款纯正血统EUV了
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