台积电16nm工艺价格

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台积电16nm工艺为代工服务,不对外公开标价。价格取决于芯片面积、设计复杂度、出货量、封装测试要求及客户议价能力,通常单颗芯片成本从几美元到数十美元不等。具体报价需与台积电签订NDA后协商。
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台积电展现惊人速度:16nm FinFET工艺试产,10nm FinFET筹备中全球芯片代工巨头台积电宣布,他们已进入前所未有的快速节奏,开始试产16nm FinFET工艺,预计在2015年初实现商业化量产。更令人瞩目的是,台积电还开发出了升级版的16nm FinFET+,计划稍后量产,该工艺在性能提升和功耗降低上均有显著优势,相较于16nm FinFET,性能提升15%,功耗降低30%,且设计规则兼容,迁移成本低。16nm FinFET+预计9月份将达到完整合格标准,迁移至该工艺的时间将大大缩短。
台积电透露,首批16nm FinFET+芯片流片将于2014年完成,其余45个预计在2015年,对比台积电先前的16nm FinFET工艺,流片数量显著增加。同时,台积电还规划了下一代10nm FinFET工艺,预计在性能和功耗上实现更大飞跃,比16nm FinFET+有25%的频率提升和45%的功耗降低,晶体管密度更是其1.1倍。目前,10nm FinFET正处于研发阶段,预期在2015年第四季度进行试产。如果进展顺利,各大芯片制造商如NVIDIA、AMD和高通有望在2015年采用16nm工艺,10nm工艺将在2016-2017年间普及。
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台积电展现惊人速度:16nm FinFET工艺试产,明年挺进10nm代工业巨头台积电在工艺技术上再次拔得头筹,宣布已经开始试产16nm FinFET工艺,这一速度令人震惊。预计于2015年早些时候实现商业化量产,且已开发出改进型的16nm FinFET+,预计晚些时候投入量产。台积电预计,大部分客户将倾向于升级到16nm FinFET+,因为它在性能提升15%的同时,功耗降低30%,相较于20nm工艺,性能提升40%。更重要的是,16nm FinFET+与16nm FinFET的设计规则兼容,迁移成本低,时间快,预计9月份将达到完全合格标准,95%的晶圆厂可无缝过渡。
首批16nm FinFET+芯片流片计划于2014年完成,随后的45个流片将在2015年完成,相比之下,今年16nm FinFET工艺的流片数量仅为16个。此外,台积电的目光并未停留于此,他们已经规划了下一代的10nm FinFET工艺,这是该公司第三代FinFET技术,预计将带来性能提升25%的频率、45%的功耗降低以及2.2倍的晶体管密度。10nm FinFET正处于开发阶段,预计在2015年第四季度试产。如一切顺利,NVIDIA、AMD和高通等大厂将在2015年采用16nm工艺,而10nm工艺则将在2016-2017年期间启用。
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全球最大芯片WSE以惊人的1.2万亿晶体管和40万核心震撼登场!这款由Cerebras Systems研发的芯片,借助台积电16nm工艺打造,面积达到46225平方毫米,拥有18GB SRAM缓存和高达9PB/s的内存带宽,每秒互连带宽更是达到100Pb/s。尽管其功率消耗达到了15千瓦,但效率惊人,仅需20千瓦就能实现相当于1000颗GPU集群的性能,且体积仅为Google TPU v3系统的1/30,功耗仅为其1/5。Cerebras与美国能源部和阿贡国家实验室合作,将这款芯片应用于CS-1系统,每套售价在百万美元级别。近期,美国匹兹堡超级计算机中心在NSF的资助下购入两套,总价高达3500万元人民币,预示着单颗WSE芯片的售价可能在200万美元上下。PSC计划用此芯片与HPE合作,共同构建名为Neocortex的AI超级计算机,该机预计年底投入运行,免费提供给美国科研人员,主要应用于医疗健康、能源和交通等领域的AI模型训练。这台计算机还将配备32颗Intel至强处理器、24TB内存和205TB硬盘,网络带宽达到1.2Tbps。Cerebras透露,他们已接到超过十颗WSE芯片的订单,并计划在下半年发布第二代产品,显示出其在AI芯片市场的强大竞争力。
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