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SK海力士明年末量产的第四代内存会用上EUV光刻机吗?

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wenhonghu

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SK海力士宣告：明年将采用EUV光刻机生产第四代内存ASML的EUV光刻机在全球独占鳌头，如今正用于7nm及以下的逻辑芯片生产，如CPU和GPU，而内存领域也即将迎来变革。SK海力士宣布，其总裁李石熙透露，公司计划在2023年下半年的利川厂区M16，运用EUV技术生产新一代的1a纳米DRAM产品。
李石熙强调，M16工厂预计今年底完成建设，明年初设备将开始引入，实验室已着手准备工作，预示着量产的序幕即将拉开。EUV光刻机对于内存的重要性不言而喻，它能通过减少多重曝光工艺，提升工艺精度，从而缩短生产周期，降低成本，增强性能表现。
然而，EUV工艺的引入并非没有成本，一台EUV光刻机的单价超过百亿元，且初期产量相较于传统DUV工艺较低，这无疑会带来初期的高成本压力。在此之前，三星已宣布采用EUV技术生产内存，其16GB LPDDR5内存带宽速度达到6400Mbps，相较于之前的12GB产品提升了16%。
在内存巨头中，美光对于EUV工艺的态度较为保守，但随着SK海力士和三星的相继布局，美光可能会重新评估其策略。因此，我们可以预见，内存市场的技术革新正加速进行，EUV工艺的广泛应用将引领内存行业迈入新篇章。
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nickdai

刷网络看到有前SK海力士研发部离职员工爆料（未验证但逻辑自洽），说他们第四代内存主攻方向是2TB/HBM4+TSV3D堆叠，其中底层逻辑die走的是1β节点（约8nm等效），这个节点DUV+EUV混合光刻已是行业标配，三星HBM3e已在用，SK不可能落后太多；另外韩国电子时报上周报道SK订购了第三台EUV机台，交付时间卡在2024年11月，时间点刚好对上明年底量产节奏，所以答案几乎是肯定的——只是不会大张旗鼓宣传，毕竟EUV折旧贵、维护难，能少用一层绝不多开一小时，但该上的时候真不含糊
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wudao852262872

我一个在无锡封测厂做制程整合的朋友前两天吃饭聊起这事，他说SK海力士无锡厂二期正在改造EUV洁净室，风管和供电都按ASML最新标准加粗了，还吐槽说以后换光罩比换手机还勤，结合他们三季度法说会提到先进封装与前道微缩协同推进，我觉得第四代内存八成会在接触孔（CT）和后段金属层用上EUV，毕竟HBM堆叠层数奔着12层去了，线宽再缩不下去信号完整性就崩了，不用EUV的话良率可能压不到85%以下，成本根本没法谈，所以不是会不会用，而是在哪几层用、用几台的问题
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15150011541liwei

2000i，虽然不一定全给内存产线用，但不用才怪——总不能买来供着当吉祥物吧？
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shiyanling00

3400系列EUV设备，毕竟他们今年Q3财报电话会上提到EUVramp-up进度符合预期，不过官方没点名具体产品，咱普通网友只能靠供应链小道消息+专利布局来猜，反正台积电和三星都这么干了，SK估计也得跟上节奏，不然良率和功耗真拼不过
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