电容器的容抗是:Xc=-j1/(ωC),
电感的感抗是:Xl=jωL
总的电抗是:X=jωL-j1/(ωC)
总阻抗是:Z=r+jX=R+jωL-j/(ωC)
105300-010000-630293-471249
激活码 u9yj442u
I=2×π×f×C×U×0.001π=3.14,C=电容量,单位:μF,U=电压,单位:KV,f=电源频率,若f=50HZ时,公式简化为:I=0.314×C×U
这个,也不用算哪 !
单片机芯片厂家,都已经规定好数值,公布出来了,哪里还用算?
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在““满意答案””中,使用《对电容的充电时间》来代替《可靠复位的时间》。
呵呵,这明显是偷换概念。
上电时刻(或按下复位按键),电阻 R 上,可以在瞬间出现高电平。
之后,电容 C,会充电,电阻 R 上的电压,按照指数规律下降。
(3~5)RC,是充满电的时间,这时,电阻 R 上的电压,将降到 0 V。
学过数字电路的人,都知道:电压,不用降到 0 V,就算是低电平了。
《对电容的充电时间》,算出来约为 300ms,这是降到 0 的时间。
这种方法,并不能算出来《降到低电平》的时间,究竟是多少。
实际上,电压,稍稍下降,就不能算是高电平了。
RST 端,处于何种电压,是低电平呢?这是厂家设计的。
芯片的厂家,同时给出的复位电路所需要的 R、C 的数值。
用厂家推荐的数值,即可保证高电平保持 2us。这个并不需要用户自己计算。
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