存储空间时序参数

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一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”,它们的含义依次为:CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间,它是内存的重要参数之一,某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节,在大部分主板的BIOS中可以设定,内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组,在同样频率设定下,最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能,幅度在3至5个百分点。
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内存时序是描述内存条性能的一种参数,一般存储在内存条的SPD中。
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还行,一般频率越高时序会上升,也就是延迟会大一点,自然对性能有所影响,但对读写是没多大变化的。
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内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式,分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值
CAS意为列地址选通脉冲
tRCD行地址选通脉冲
tRP指行预充电时间
tRAS行有效至行预充电时间
CMD首命令延迟
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猜测的出去额
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内存时序到底是什么意思?越大越好?还是越小越好呢?
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有些内存可以直接从外包装或内存表面的标签辨别它的时序,内存的时序就是CL那一行,还可以用用软件cpu-z查看内存的时序,打开cpu-z,点击内存就可以看到时序了,
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可以用cpu-z来查看
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