如何优化我的存储空间时序

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CL可以设置成4 时序调整4-4-4-12这个看内存体制来的,未必能上CL4
你机器这配置运行办公软件和普通游戏不该卡
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频率低的,内存时序可以适当调高,二者没有换算上的关系
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把两条内存交换位置试一试吧
实在不行也没有办法
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你要去查一下具体的内存批号,对症下药,这样问没用的
还有性能是一个木桶,哪块木板短了也不行,不要迷信把某某配件发挥到如何水平,要整体调整,比如还要超U,超显卡以发挥整体优势,光超一个没用
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这个我真不会 呵呵 不好意思
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tCLnbsp;:nbsp;CASnbsp;Latencynbsp;Control(tCL)
一般我们在查阅内存的时序参数时,如“9-9-9-24”这一类的数字序列,上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个第一个“9”就是第1个参数,即CL参数。tRCDnbsp;:nbsp;RASnbsp;tonbsp;CASnbsp;Delay
该值就是“9-9-9-24”内存时序参数中的第2个参数,即第2个“9”。RASnbsp;tonbsp;CASnbsp;Delay(也被描述为:tRCD、RASnbsp;tonbsp;CASnbsp;Delay、Activenbsp;tonbsp;CMD),表示“行寻址到列寻址延迟时间“,数值越小,性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时,需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中,它是排在第二的参数,降低此延时,可以提高系统性能。如果你的内存的超频性能不佳,则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。tRPnbsp;:nbsp;Rownbsp;Prechargenbsp;Timing(tRP)
该值就是“9-9-9-24”内存时序参数中的第3个参数,即第3个“9”。Rownbsp;Prechargenbsp;Timingnbsp;(也被描述为:tRP、RASnbsp;Precharge、Prechargenbsp;tonbsp;active),表示“内存行地址控制器预充电时间“,预充电参数越小则内存读写速度就越快。tRP用来设定在另一行能被激活之前,RAS需要的充电时间。tRASnbsp;:nbsp;Minnbsp;RASnbsp;Activenbsp;Timing
该值就是该值就是“9-9-9-24”内存时序参数中的最后一个参数,即“24”。Minnbsp;RASnbsp;Activenbsp;Timenbsp;(也被描述为:tRAS、Activenbsp;tonbsp;Prechargenbsp;Delay、Rownbsp;Activenbsp;Time、Prechargenbsp;Waitnbsp;State、Rownbsp;Activenbsp;Delay、Rownbsp;Prechargenbsp;Delay、RASnbsp;Activenbsp;Time),表示“内存行有效至预充电的最短周期”,调整这个参数需要结合具体情况而定,一般我们最好设在24~30之间。这个参数要根据实际情况而定,并不是说越大或越小就越好。
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奇偶校验则将单元中存入的代码的个数进行奇偶统计,并将统计的结果保存在奇偶校验位中,当计算机提取内存的数据时,奇偶校验则将统计的结果和实际读出的数据进行比较看是否一致,从而确保了内存数据的正确性。
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用优化大师里面有一项可以调的
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