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型号：STTH1506DPI
重复峰值反向电压（VRRM）：600V
平均正向电流（IF）：15A
浪涌非重复正向电流（IFSM）：130A
储存温度范围（Tstg）： -65 to ﹢150℃
工作结温度范围（Tj）： -40 to ﹢150℃
反向漏电流（IR）：20uA
正向压降（VF）：2.4V
反向恢复时间（trr）：16ns
STTH1506DPI描述：
STTH1506DPI是由两300V管芯串联而成的超高性能二极管。当以高dIF/dt运行时，TURBOSWITCH“H”系列可大幅降低相关MOSFET的损耗。
STTH1506DPI功能和优点：
特别适用于连续模式功率因数校正器和硬开关条件下的升压二极管
设计用于高DI/DT操作，超快速恢复电流与SIC器件竞争允许缩小MOSFET和散热器的尺寸
两个300V二极管具有相同热条件的内部陶瓷绝缘器件
允许放置在与MOSFET相同的散热片上，并可在公共或单独散热片上灵活散热
通过设计保证内部二极管的静态和动态平衡
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：
Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。
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