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35P03采用的TO-252封装,是一款MOSFET场效应管。35P03的漏极电流脉冲(IDM)为-80A,最大功耗(PD)为53W,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。35P03的开启延迟时间(td(on))为15NS,关断延迟时间(td(off))为44NS。35P03的电性参数是:漏源电压(VDSS)为-30V,栅源电压(VGSS)为±20V,漏极连续电流(ID)为-35A,二极管正向电压(VSD)为-1.2V,其中有3条引线。
35P03参数描述
型号:ASE35P03
封装:TO-252
特性:MOSFET场效应管
电性参数:35A 30V
漏源电压(VDSS):-30V
栅源电压(VGSS):±20V
漏极连续电流(ID):-35A
漏极电流脉冲(IDM):-80A
最大功耗(PD):53W
开启延迟时间(td(on)):15NS
关断延迟时间(td(off)):44NS
二极管正向电压(VSD):-1.2V
工作温度:-55~+150℃
引线数量:3
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