R1 = 10K 。
NRST 是低电平有效，上电复位时芯片必须有足够的时间进行初始化操作，在此期间 NRST 必须保持低电平。
复位电路利用电容电压不会突变的性质，开机后电容电压为零，芯片复位，随即电源通过 R1 向 C5 充电，直至电容电压上升为高电平，芯片开始正常工作。
你电路中有没有上电复位呢？如果有，那就直接断电，再上电；
1、根据你的描述可以知道，你所说的那人电路是一个上电复位电路。而不是按键复位。
2、接电容是为了在单片机上电的瞬间可以在复位引脚上得到高于两个机器周期的高电平。
根据芯片的要求的复位时间计算，1.1×R×C大于复位时间就可以了，电阻单位是Ω，电容用法拉，时间单位是秒，你说的是低电平复位的情况，利用RC电容的充电特性，刚加电时电容正端保持为低，对芯片复位，导达充电时间后，电容充电完成，变为高电平，停止复位。
电容太大会导致复位时间很长，注意电容不能选用铝电解的，漏电流太大，会导致复位时间过长，
电容滤波的作用嘛.即然这里对高低电平的要求高.那肯定得滤波了.电容的内部结构明白吗?直流是肯定流不过去的嘛.因为它是不通的嘛.但是交流有激发的能力嘛.所以可以过了.
int main()
{
u8 i=2;
while(i--)
{
//代码， 这里的代码会执行两次
}
while(1);
}
不知道是不是你想要的
电容和电阻实现 阻容复位 ，电容的大小和电阻的大小决定了复位时间。
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