笔记本内存DDR3和DDR4有区别吗?区别大不大。原装是DDR3的能插DDR4的内存吗?

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笔记本内存DDR3和DDR4有区别吗?区别大不大。原装是DDR3的能插DDR4的内存吗?

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笔记本有DDR4内存条了?????这个不太可能吧,桌面级的DDR4还没普及呢,至于性能DDR4整体肯定要比DDR3高,这两种插槽是不兼容的,DDR3就只能上DDR3,上不了DDR4
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这个第几代内存的型号。DDR是最早的内存,速度慢,功耗大,电压2.5V。DDR400就是一个例子,速度是400mhz
DDR2是第二代内存,电压1.8V,速度一般都是667或800。DDR3是目前最普遍的内存,电压1.5V,速度很快,容量也很大,单条最大可达到8GB,频率从1066-2400mhz不等。
DDR4是新一代内存,没有普及,速度非常快,目前只能在Intel X99主板上使用。
所以不能共用一台机器
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差别大了去了,笔记本和台式用的内存条尺寸不一样的。用台式的无法插入笔记本的
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DR4内存条相对DDR3来说有以下几点、甚至更低;至于你说的DDR3换DDR4 首先主板不支持:金手指变成弯曲状 ,可达128GB;功耗明显降低,电压低到1.2V【DDR3 1.35V】;内存频率提升,可达4266MHz;内存容量提升明显
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只要参数一样,容量和频率还有类型(DDR4)
就是尺寸不一样,性能没有区别的
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DDR4是什么意思?
DDR,英文全称为:Dual Data Rate,是一种双倍速率同步动态随机存储器。严格的说,DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写,即同步动态随机存取存储器,而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
简单来说,DDR4就是第二代内存的意思,目前不少智能手机与电脑都用上了新一代DDR4内存,它属于我们熟知的DDR3内存的下一代版本,带来了更低的功耗与更出色的性能。
经历了DDR1、DDR2、DDR3内存,新一代DDR4内存也逐渐开始变得流行,无论是PC还是智能手机,如今DDR4内存可以说早已悄然流行。

DDR4和DDR3内存区别
虽然新一代电脑/智能手机用上了DDR4内存,但以往的产品大多还是用的DDR3内存,因此DDR3依旧是主流,DDR4今后将逐渐取代DDR3,成为新的主流,下面我们再来看看DDR4和DDR3内存都有哪些区别。
相比上一代DDR3,新一代DDR4内存主要有以下几项核心改变:
1.外观改变
DDR4内存条外观变化明显,金手指变成弯曲状,这意味着,DDR4内存不再兼容DDR3,老平台电脑无法升级DDR4内存,除非将CPU和主板都更换为新平台。
2.DDR4内存频率与带宽提升明显
频率方面,DDR3内存起始频率为800,最高频率达到了2133。DDR4内存起始频率就达到了2133,量产产品最高频率达到了3000,从内存频率来看,DDR4相比DDR3提升很大。
带宽方面,DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/S)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。
综合来看,DDR4内存性能最大幅度可比DDR3提升高达70%,甚至更高。
3.DDR4内存容量提升明显,可达128GB
上一代DDR3内存,最大单挑容量为64GB,实际能买到的基本是16GB/32GB,而新一代DDR4内存,单条容量最大可以达到128GB,媲美SSD了。
4.DDR4功耗明显降低,电压达到1.2V、甚至更低
上一代DDR3内存,采用1.5V标准电压,而DDR4内存则降低为1.2V,甚至可以做到更低,功耗下降了,更省电,并且可以减少内存的发热。
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DDR4与DDR3内存差异一:处理器
 
 每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持
2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8
核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。
DDR4与DDR3内存差异二:外型
一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难
以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证
DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
  接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。
DDR4与DDR3内存差异三:参数
  DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。
另外就是其它参数的改变,比如容量和电压。
  DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之
多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方
面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更
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不兼容
插槽不一样,根本插不上
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