Everspin 1Gb STT-MRAM存储器件有着怎样的特点?

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Everspin 近日宣布,其已开始试生产最新的 1Gb STT-MRAM(自旋转移力矩磁阻)非易失性随机存取器。去年 12 月的时候,其已发布了首批预生产样品。

新 MRAM 器件采用格罗方德(GlobalFoundries)的 28nm 工艺制造,与当前的 40nm 256Mb 器件相比,其在密度和容量方面有了重大的进步。

预计今年下半年的时候,其产能会开始增加。

Everspin 1Gb STT-MRAM存储器件有着怎样的特点?

(题图 via AnandTech)

新器件提供了 8 / 16-bit 的 DDR4-1333 MT/s(667MHz)接口,但与较旧的基于 DDR3 的 MRAM 组件一样,时序上的差异使得其难以成为 DRAM(动态随机存取器)的直接替代品。

低容量的特性,使得 MRAM 组件更适用于嵌入式系统,其中 SoC 和 ASIC 可更容易地设计兼容的 DDR 控制器。

据悉,最新的 1Gb 容量 STT-MRAM 扩大了 MRAM 的吸引力,但 Everspin 仍需努力追赶 DRAM 的存储密度。

当然,我们并不指望 MRAM 专用存储设备可以迅速在市面上普及(SSD 或 NVDIMM)。毕竟市面上的混合型 SSD,仍依赖于 NAND 闪存作为主要存储介质。

Everspin 1Gb STT-MRAM存储器件有着怎样的特点?

目前行业内已通过 MRAM 来部分替代 DRAM,比如 IBM 就在去年推出了 FlashCore 模块,以及希捷在 FMS 2017 上展示的原型。

需要指出的是,尽管 Everspin 不是唯一一家致力于 MRAM 技术的公司,但它们却是分立式 MRAM 器件的唯一供应商。

作为与格罗方德合作生产的第二款分立型 MRAM 器件,他们还在 GloFo 的 22nm FD-SOI 工艺路线图中嵌入了 MRAM 。

鉴于该工厂取消了 7nm 和更低制程的计划,包括嵌入式内存在内的特殊工艺对其未来显然至关重要。

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