SSD需要电容来为掉电时写入缓存数据提供支持,那可否用非易失性存储代替DRAM?

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据外媒报道,IBM 正在摆脱传统需要电容支持的 DRAM,转而推进面向下一代闪存系统的磁阻存储器(MRAM)技术。

AnandTech 指出,MRAM 是当前市面上速度最快、耐用性最高的非易失性存储器之一。只是与 NAND 闪存(甚至英特尔的 3D XPoint 存储器)相比,其密度相对更加受限。

好消息是,IBM 与格罗方德(Global Foundries)达成了合作,在后者 22nm FD-SOI 工艺基础上制造 MRAM 。正因如此,使得 MRAM 芯片供应商 Everspin 将产能提升到了新的高度。

目前 Everspin 正在生产 256Mb 芯片,但有望在今年年底前开始 1Gb 芯片的出样。

IBM 的 FlashSystem 设备,使用了类似 SSD 的定制外形、部署了系统级掉电防护功能、以及 FPGA 主控。

借助新系统,该公司还能将它转变成标准的 2.5 英寸 U.2 驱动器。

但要为每个驱动器部署超级电容,来保持 FPGA 主控在掉电后有足够长的时间运行并刷新其 DRAM 写缓存的话,显然是不现实的。

值得庆幸的是,MRAM 的非易失性,可以彻底消除对大型超级电容器的需求。

AnandTech 指出,IBM FlashSystem 可拥有高达 19.2TB 的 64 层 TLC NAND 存储空间,并借助 20 通道 NAND 接口和 PCIe 4.0 x4 主机接口,在双端口 2+2 模式下运行。

据悉,IBM 将在本周的闪存峰会上展出 FlashSystem 驱动器,并于本月晚些时候开始向客户交付。

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